Az Intel a SoftBank együttműködésében 2029-ig tervezik az HBM memóriahelyettesítő bevezetését

A SoftBank és az Intel 2029-re terveznek piacra dobni egy új Z‑Angle Memory (ZAM) memóriát

Miért van szükség a Z‑Angle Memory-re
* A meglévő HBM problémái:
- Nagyon drága és energiaigényes.
- Amikor a HBM gyártási mennyisége nő, a hagyományos DRAM erőforráshiányt tapasztal.

* A Z‑AM célja: gazdaságosabb, energiatakarékos alternatívát kínálni, miközben magas adat sűrűséget tart fenn.

Technikai jellemzők
| Paraméter | Leírás |
|---|---|
| Struktúra | Több rétegű mikrochip stack (hasonló a HBM-hez), de fejlettebb csomagolási és architekturális módszerekkel. |
| Sűrűség | A stack egységnyi kapacitása 2‑3-szor magasabb, mint a HBM-nál. |
| Energiafogyasztás | Körülbelül felére csökkentve a HBM-hez képest. |
| Gyártási költség | Várhatóan vagy fenntartják az aktuális árat, vagy akár 40 % -kal csökken. |

Csomagolási technológia
* Az Intel NGDB (Next‑Generation Die Bonding) technológiát kínálja, amely javítja a ZAM memória energetikai hatékonyságát a HBM-hez képest.
* A prototípusokban már nyolc DRAM réteg van elhelyezve az alapkristáron.

Indítási terv
1. Intermediár prototípusok – bemutató 2028 május végéig.
2. Nagykereskedelmi gyártás – a bemutató után következő 12 hónapban, tehát körülbelül 2029 év közepére.

Így a SoftBank és az Intel gyorsan szeretnék skálázni a Z‑Angle Memory termelését, hogy elérhetőbb és energiatakarékosabb memóriaváltozatot kínáljanak a jövőbeli nagy teljesítményű rendszerek számára.