A Samsung leállítja a 2‑D NAND gyártását, és átirányítja üzemét az HBM4 előállítására.

Samsung leállítja a 2-D NAND flash gyártását és átirányítja a gyárakat HBM4 felé

Ebben az évben a Samsung bejelentette, hogy teljes mértékben megszűnteti a 2-D NAND flash memória gyártását. A fennmaradó sorokat áthelyezi HBM4 memória előállítására, amely jelenleg hatalmas keresletnek örvend az AI gyors növekedése miatt.

Mi történik a Hwason gyárban
A *The Elec Korea* szerint a Samsung terve van lezárni a 2-D NAND gyártását a Hwason létesítményén. A teljes sor kikapcsolása helyett a vállalat átalakítja azt DRAM metalizálására – a chip belsejében található memóriacellák közötti nyomvonalak felhelyezésére szolgáló folyamat.

- A 12-es sor kapacitása: havi 80 000–100 000, 12 hüvelykes lemezek.
- Ezeket a lemezeket korábban kizárólag 2-D NAND flashokhoz használták, de a technológia már elavult a 3-D NAND megjelenése után.

Most ezen a soron 6. generációs (10 nm) DRAM lesz gyártva, amelyet HBM4-ben használnak. A Samsung becslése szerint a havi összes DRAM kapacitás – beleértve a 3. és 4. sort Pyeontéken – körülbelül 200 000 lemezt fog elérni a második félév végére.

Miért szűnik meg a 2-D NAND
A 2-D NAND memória először a 1990-es évek végi időszakban jelent meg. Az elmúlt években a gyártók fokozatosan felhagyották, és áttértek a fejlettebb 3-D NAND-re. A 3-D NAND technológia jelentős előnyökkel rendelkezik: nagyobb kapacitás, jobb megbízhatóság és sokkal magasabb sebesség.

A Samsung terv szerint a 2-D NAND gyártásának végleges leállítása márciusra van ütemezve. Ezt követően a gyár teljesen át fog váltani a korszerűbb megoldások előállítására – beleértve az HBM4-et, amelyeket a nagy teljesítményű számítási rendszerek és AI alkalmazások igényelnek.