A Samsung és a SK Hynix szinte milliárd dollárt fektettek be a memória-termelés bővítésébe Kínában tavaly.

Hogyan tartják a dél-koreai memóriaóriások a hozzáférést az amerikai berendezésekhez és fejlesztik gyártásukat Kínában

Joe Biden elnöksége alatt az USA hatóságai megpróbálták korlátozni a dél-koreai gyártók lehetőségét, hogy bővítsék üzemüket Kínában. Ezek a gyárak kulcsfontosságúak a memóriachipok globális piaci ellátásához. Ennek ellenére a Samsung és az SK Hynix sikerült fenntartaniuk a hozzáférést az amerikai berendezésekhez, miközben befektettek kínai üzemük modernizálásába.

1. Samsung Electronics
MutatóAdatBefektetés Szián (2023)344 millió dollárNövekedés 2022-vel szemben +67,5 %Az üzem szerepeA Samsung egyetlen külföldi helyszíne a NAND‑memóriához; akár 40 % -át biztosítja a globális termelési mennyiségnek. Befektetési történeteEgy 464 millió dollár befektetés után 2019-ben a vállalat négy évig nem hajtott végre nagyobb finanszírozást. 2024-ben 184 millió dollárt fordított, míg tavaly a összeg majdnem kétszeresére nőtt.
Így Szián stratégiai központtá vált a Samsung számára, különösen az AI korszakában tapasztalható memóriaigény növekedése miatt.

2. SK Hynix
MutatóAdatÖsszes befektetés Kínában (2023) több mint 663 millió dollárGyárak– DRAM‑gyár Usi-ben; – 3D‑NAND‑gyár Dalianban, amelyet 2022-ben vásároltak az Intel-től.Befektetések Usi-be (2023)duplázódott 190 millió dollárBefektetések Dalianba (2023)293 millió dollár (1,5-szer több, mint 2024‑ben)Gazdasági súly≈1 trillió dél-koreai won – jelentős összeg a vállalat számára
Az SK Hynix aktívan bővíti DRAM és 3D‑NAND gyártását, hogy kielégítse az AI és felhőszolgáltatások növekvő memóriaigényét.

3. Technológiai tervek
VállalatTervezett termékHol fogják előállítaniSamsung236‑rétegű 3D‑NAND (átállás 128‑rétegűről)KínaSamsung400‑rétegű 3D‑NANDDél-KoreaSK HynixA DRAM‑gyár Usi-ben átállása a negyedik generációs 10‑nm (1a)Usi, Kína
– A Samsung célja, hogy fejlettebb 236‑rétegű memóriát indítson Kínában, ami lehetővé teszi számára, hogy versenyképes maradjon a technológiai fejlődési korlátozások ellenére.

– Az SK Hynix tervezze frissíteni Usi DRAM‑gyárának folyamatát 10‑nm (1a) szintre, ami hatékony DDR5 gyártást biztosít. A gyár már több mint a vállalat 30 % -át teszi ki a globális DRAM mennyiségnek.

Összegzés
Az USA erőfeszítései ellenére, hogy korlátozza a dél-koreai gyártók hozzáférését az amerikai berendezésekhez, a Samsung és az SK Hynix több száz millió dollárt fektet be Kínába. Ez lehetővé teszi számukra, hogy fenntartsák versenyképességüket, bővítsék NAND‑memória és DRAM gyártásukat, valamint felkészüljenek a jövőbeni növekedésre, különösen az AI területén.