A Samsung bemutatta a Computex 2026‑en az HBM5 memória stack prototípusát.

Samsung Electronics – az első lépések a HBM5 felé

Nemrégiben a Samsung Electronics bejelentette, hogy elkezdik szállítani az HBM4E memóriamintákat, ugyanakkor már aktívan fejleszti a következő generációt – a HBM5-öt. A Computex 2025 kiállításon a vállalat csak egy nagy méretű HBM5 chip modellel mutatta be a struktúráját, hogy átfogó képet adjon róla. Már most látható, hogy a technológia bonyolult és követelményes lesz.

Kulcsfontosságú fejlesztési részletek
ParaméterMi teszi a Samsung Alapkristály Saját gyártás 2 nm tech-process száma DRAM rétegek 12–20 darab (1c osztály technológia) GAA tranzisztorok 2 nm chipeken tervezett Tech-process alacsonyabb, mint 1 nm A cég biztos benne, hogy a jövőben elsajátíthatja

A Samsung Electronics részlegének műszaki igazgatója, Song Jaehyuk megerősítette a vállalat részvételét ezeknek a technológiáknak a fejlesztésében és bevezetésében. A szerződéses részleg lehetővé teszi a legszigorúbb ügyfelek igényeinek kielégítését, beleértve az Nvidia-t is.

Összehasonlítás HBM4E-vel
* Az HBM4E 4 nm alapkristályt és 1c tech-processzt használ DRAM chipek gyártásához, amelyek a memóriatömböt alkotják.
* Az HBM5 kínálni fog:
* Vékonyabb kristályt (2 nm) és rugalmasabb réteg számot (12–20).
* Heat Path Block (HPB) – hőleadó csatorna hatékony hűtéshez.
* Növelt adatátviteli sebességet javított architektúrával.

Az HPB technológia már finomhangolva van az HBM4E példáján, és a Samsung fejlett hőleadási módszereket tervez a memória stabilitásának növelésére. A masszabirtoklás 2028-ban várható, és az HBM5E keretrendszerben a DRAM kristályokat egy fejlettebb 1d tech-process-sel fogják előállítani.

Mit csinálnak a versenytársak
* A SK hynix hasonló hűtési technológiát használ – iHBM. Ez azt jelenti, hogy a Samsung megoldása nem egyedi a hőleadás szempontjából.
* A SK hynix is bevezet 2 nm chipeket az HBM5-ben és tervez masszabirtoklást iHBM használatával.

Összegzés
A Samsung Electronics már fejleszti az HBM5-öt 2 nm tech-process alapokon, 20 DRAM rétegig terjedő lehetőséggel és innovatív HPB hőleadással. A masszabirtoklás 2028-ra van ütemezve, míg a versenytársak, mint a SK hynix, hasonló megoldásokat alkalmaznak (iHBM). Összességében a Samsung magabiztos abban, hogy elsajátítja az alacsonyabb, mint 1 nm technológiákat és képes kielégíteni a legnagyobb ügyfelek igényeit.